-
1 диффузионный метод
( легирования полупроводников) diffusion method -
2 double doping method
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > double doping method
-
3 диффузионный метод
1) Mathematics: diffusion method2) Makarov: diffusion method (легирования полупроводников)Универсальный русско-английский словарь > диффузионный метод
-
4 intermediate doses
pl.умеренные дозы ( имплантации в полупроводниках) умеренные дозы ( Легирования полупроводников)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > intermediate doses
См. также в других словарях:
ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… … Физическая энциклопедия
легирование — см. Легировать. * * * легирование (нем. legieren сплавлять, от лат. ligo связываю, соединяю), 1) введение в состав металлических сплавов так называемых легирующих элементов (например, в сталь Cr, Ni, Мо, W, V, Nb, Ti и др.) для придания… … Энциклопедический словарь
Ионная имплантация — Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Ионная имплантация способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ег … Википедия
Шокли, Уильям Брэдфорд — Уильям Брэдфорд Шокли англ. William Bradford Shockley Шокли в 1975 году Дата рождения: 13 февраля 1 … Википедия
Лауреаты Государственной премии СССР в области науки и техники (1980—1991) — Содержание 1 1980 2 1981 3 1982 4 1983 5 1984 6 1985 … Википедия
ионное внедрение — (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников. * * * ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ (ионная имплантация), введение посторонних (примесных)… … Энциклопедический словарь
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… … Физическая энциклопедия
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация) введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников … Большой Энциклопедический словарь
ИОННАЯ БОМБАРДИРОВКА — поверхности твёрдых тел приводит к возникновению взаимосвязанных процессов, основные из к рых объёмное и поверхностное рассеяние бомбардирующих ионов (в т. ч. и с изменением их зарядового состояния), эмиссия из разл. конденсированных сред заряж.… … Физическая энциклопедия
ионная имплантация — Термин ионная имплантация Термин на английском ion implantation Синонимы ионное внедрение, ионное легирование Аббревиатуры Связанные термины биосовместимые покрытия Определение введение примесных атомов в твердое тело путем его бомбардировки… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация), введение посторонних (примесных) атомов внутрь тв. тела путём бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников … Естествознание. Энциклопедический словарь